关于MOSFET用于开关电源的驱动电v8彩票路

2020-07-11 15:01字体:
  

  MOSFET因导通内阻低、开合速率速等便宜被通常行使于开合电源中。MOSFET的驱动常依据电源IC和MOSFET的参数拣选合意的电途。下面沿途研商MOSFET用于开合电源的驱动电途。

  正在行使MOSFET计划开合电源时,大局限人城市琢磨MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但良众工夫也仅仅琢磨了这些身分,如此的电途也许可能寻常就业,但并不是一个好的计划计划。更详细的,MOSFET还应试虑自身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电途,驱动脚输出的峰值电流,上升速度等,城市影响MOSFET的开合功能。

  当电源IC与MOS管选定之后,拣选合意的驱动电途来相接电源IC与MOS管就显得越发首要了。

  (1)开合管开通瞬时,驱动电途应能供给足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压敏捷上升到所需值,确保开合管能迅疾开通且不存正在上升沿的高频振荡。

  (2)开合导通时候驱动电途能确保MOSFET栅源极间电压仍旧太平且牢靠导通。

  (3)合断刹时驱动电途能供给一个尽大概低阻抗的通途供MOSFET栅源极间电容电压的迅疾泄放,确保开合管能迅疾合断。

  电源IC直接驱动是咱们最常用的驱动形式,同时也是最浅易的驱动形式,行使这种驱动形式,该当留神几个参数以及这些参数的影响。第一,查看一下电源IC手册,其最大驱动峰值电流,由于分别芯片,驱动才智良众工夫是不相似的。第二,明白一下MOSFET的寄生电容,如图1中C1、C2的值。倘若C1、C2的值对照大,MOS管导通的必要的能量就对照大,倘若电源IC没有对照大的驱动峰值电流,那么管子导通的速率就对照慢。倘若驱动才智亏折,上升沿大概映现高频振荡,尽管把图 1中Rg减小,也不行治理题目!IC驱动才智、MOS寄生电容巨细、MOS管开合速率等身分,都影响驱动电阻阻值的拣选,于是Rg并不行无尽减小。

  倘若拣选MOS管寄生电容对照大,电源IC内部的驱动才智又亏折时,必要正在驱动电途上巩固驱动才智,常行使图腾柱电途减少电源IC驱动才智,其电途如图 2虚线图腾柱驱动MOS

  这种驱动电途效率正在于,晋升电流供给才智,敏捷实现对待栅极输入电容电荷的充电进程。这种拓扑减少了导通所必要的光阴,然而删除了合断光阴,开合管能迅疾开通且避免上升沿的高频振荡。

  合断刹时驱动电途能供给一个尽大概低阻抗的通途供MOSFET栅源极间电容电压迅疾泄放,确保开合管能迅疾合断。为使栅源极间电容电压的迅疾泄放,常正在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管,如图3所示,个中D1常用的是速还原二极管。这使合断光阴减小,v8彩票同时减小合断时的损耗。Rg2是预防合断的时电流过大,把电源IC给烧掉。

  正在第二点先容的图腾柱电途也有加快合断效率。当电源IC的驱动才智足够时,对图 2中电途纠正可能加快MOS管合断光阴,获得如图 4所示电途。用三极管来泄放栅源极间电容电压是对照常睹的。倘若Q1的发射极没有电阻,当PNP三极管导通时,栅源极间电容短接,到达最短光阴内把电荷放完,最大节制减小合断时的交叉损耗。与图3拓扑比拟较,另有一个好处,即是栅源极间电容上的电荷泄放时电流但是程电源IC,进步了牢靠性。

  为了餍足如图 5所示高端MOS管的驱动,时常会采用变压器驱动,有时为了餍足安详远隔也行使变压器驱动。个中R1宗旨是遏抑PCB板上寄生的电感与C1变成LC振荡,C1的宗旨是离隔直流,通过调换,同时也能预防磁芯饱和。

  除了以上驱动电途除外,另有良众其它式子的驱动电途。对待各类各样的驱动电途并没有一种驱动电途是最好的,唯有连结全体行使,拣选最合意的驱动。正在计划电源时,有上述几个角度起程琢磨怎么计划MOS管的驱动电途,倘若选用制品电源,不管是模块电源、日常开合电源、电源适配器等,这局限的就业凡是都由电源计划厂家实现。

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