开关电源各种系统的核心部分有哪些?

2020-06-11 21:31字体:
  

  电源的需求越来越大,同时对牢靠性提出了越来越高的恳求。涉及体例牢靠性的要素许众。目前,人们领会上的重要误区是把牢靠性完整(或根基上)归结于装置的工艺,轻视了体例打算和处境温度对牢靠性的定夺性的效率。据美邦水兵电子尝试室的统计,整机显露打击的起因和各自所占的百分比。

  正在民用电子产物周围,日本的统计材料讲明,牢靠性题目80%源于打算方面(日本把元器件的选型、质料级别确凿定、元器件的负荷率等局限也归入打算上的起因)。以上两方面的数据讲明,打算及元器件(元器件的选型,质料级别确凿定,元器件的负荷率)的起因酿成的打击,正在开闭电源打击起因中占80%掌握。省略这两方面酿成的开闭电源打击,具有紧急的事理。总之,对体例的打算者而言,须要清楚扶植“牢靠性”这个紧急观念,把体例的牢靠性行为紧急的身手目标,负责周旋开闭电源牢靠性的打算事情,并采纳足够的方法抬高开闭电源的牢靠性,本领使体例和产物到达安靖、牢靠的目的。本文就从这两个方面来研商与发挥。

  邦际上,通用的牢靠性界说为:正在划定条目下和划定的时辰内,完毕划定效力的材干。此界说合用于一个别例,也合用于一台修筑或一个单位。描画这种随机变乱的概率可用来行为外征开闭电源牢靠性的特性量和特性函数。从而,引出牢靠度[R(t)]的界说:体例正在划定条目下和划定时辰内,完毕划定效力的概率。

  如体例正在首先 (t=0)时有n0个元件正在事情,而正在时辰为t时仍有n个元件正在平常事情,

  R(t)=e-λt0《t《事情寿命《t《事情寿命《 p=“”》《/t《事情寿命《t《事情寿命《》

  均匀无打击时辰(MTBF)是开闭电源的一个紧急目标,用来量度开闭电源的牢靠性。

  从各研商机构研商收获可能看出,处境温度和负荷率对牢靠性影响很大,这两个方面临开闭电源的影响很大,下面将从这两方面认识,怎样打算出高牢靠的开闭电源。个中:PD为行使功率;PR为额定功率主。UD为行使电压;UR为额定电压。

  4.2牢靠性打算与器件的效力打算相纠合,正在餍足器件机能目标的根底上,尽量抬高器件的牢靠性水准。

  4.3应针对器件的机能水准、牢靠性水准、修筑本钱、研制周期等相应限制要素举行归纳均衡打算。

  4.4正在牢靠性打算中尽恐怕采用邦、外里成熟的新身手、新布局、新工艺和新道理。

  4.10 对电源举行合理的热打算,左右处境温度,不致温渡过高,导致元器件失效用扩张。

  4.12 应采取金属封装、陶瓷封装、玻璃封装的器件,禁止选用塑料封装的器件。

  因为负荷率对牢靠性有庞大影响,故牢靠性打算紧急的一个方面是负荷率的打算,跟据元器件的特质及实施履历,元器件的负荷率鄙人列数值时,电源体例的牢靠性及本钱是较优

  半导体元器件的电压降额应正在0.6以下,电流降额系数应正在0.5以下。半导体元器件除负荷率外另有容差打算,打算开闭电源时,应符合放宽半导体元器件的参数同意蜕变局限,包罗修筑容差、温度漂移、时辰漂移、辐射导致的漂移等。以保障半导体元器件的参数正在必然局限内蜕变时,开闭电源仍能平常事情。

  电容器的负荷率(事情电压和额定电压之比)最好正在0.5掌握,普通不要逾越0.8,而且尽量行使无极性电容器。并且,正在高频操纵的境况下,电压降额幅度应进一步加大,对电解电容器更应这样。应格外留神,电容器有低压失效的题目,关于平常铝电解电容器和无极性电容的电压降额不低于0.3,但钽电容的电压降额应正在0.3以下。电压降额不行太众,不然电容器的失效用将上升。

  电阻器、电位器的负荷率要小于0.5,此为电阻器打算的上限值;然则多量试验外明,当电阻器降额数低于0.1时,将得不到预期的恶果,失效用有所扩张,电阻降额系数以0.1为牢靠性降额打算的下限值。

  总之,对各样元器件的负荷率只消有恐怕,普通应保留正在0.3掌握。最好不要逾越0.5。云云的负荷率,对电源体例酿成不牢靠的机率利害常小的。

  开闭电源内部过高的温升将会导致温度敏锐的半导体器件、电解电容等元器件的失效。当温度逾越必然值时,失效用呈指数秩序扩张。有统计材料讲明,电子元器件温度每升高2℃,牢靠性降低10%;温升50℃时的寿命唯有温升25℃时的1/6。除了电应力以外,温度是影响开闭电源牢靠性的最紧急的要素。高频开闭电源有大功率发烧器件,温度更是影响其牢靠性的最紧急的要素之一,完备的热打算包罗两个方面:一 怎样左右发烧源的发烧量;二 怎样将热源爆发的热量散出去。使开闭电源的温升左右正在同意的局限之内,以保障开闭电源的牢靠性。下面将从这两个方面阐明。

  开闭电源中重要的发烧元器件为半导体开闭管、功率二极管高频变压器、滤波电感等。分歧器件有分歧的左右发烧量的手法。功率管是高频开闭电源中发烧量较大的器件之一,减小它的发烧量,不但可能抬高功率管的牢靠性,并且可能抬高开闭电源的牢靠性,抬高均匀无打击时辰(MTBF)。开闭管的发烧量是由损耗惹起的,开闭管的损耗由开闭流程损耗和通态损耗两局限构成,减小通态损耗可能通过选用低通态电阻的开闭管来减小通态损耗;开闭流程损耗是因为栅电荷巨细及开闭时辰惹起的,减小开闭流程损耗可能采取开闭速率更速、克复时辰更短的器件来省略。但更为紧急的是通过打算更优的左右方法温存冲身手来减小损耗,如采用软开闭身手,可能大大减小这种损耗。减小功率二极管的发烧量,对调取整流及缓冲二极管,普通境况下不会有更好的左右身手来减小损耗,可能通过采取高质料的二极管来减小损耗。关于变压器二次侧的整流可能采取效用更高的同步整流身手来减小损耗。关于高频磁性质料惹起的损耗,要尽量避免趋肤效应,关于趋肤效应酿成的影响,可采用众股细漆包线并绕的想法来管理。

  MOS管导通时有必然的压降,也即器件有必然的损耗,它将惹起芯片的温升,然则器件的发烧诚况与其耐热材干和散热条目相闭。由此,器件功耗有必然的容限。其值按热欧姆定律可显露为:

  式中,Tj 是额定结温(Tj=150℃),Tc是壳温,RT是结到管壳间的稳态热阻,Tj代外器件的耐热材干,Tc和 RT代外器件的散热条目,而PD便是器件的发烧诚况。它必需正在器件的耐热材干和散热条目之间赢得均衡。

  散热有三种根基方法:热传导、热辐射、热对流。凭据散热的方法,可能选自然散热:加装散热器;或采取强制风冷:加装电扇。加装散热重视要使用热传导和热对流,即一共发烧元器件均先固定正在散热器上,热量通过传导方法转达给散热器,散热器上的热量再通过能流换热的方法由氛围转达热量,举行散热。

  散热仿真是拓荒电源产物以及供应产物质料指南一个紧急的构成局限。优化模块外形尺寸是终端修筑打算的开展趋向,这就带来了从金属散热片向PCB覆铜层散热经管转换的题目。当今的少少模块均行使较低的开闭频率,用于开闭形式电源和大型无源组件。关于驱动内部电道的电压转换和静态电流而言,线性稳压器的效用较低。

  跟着效力越来越丰裕,机能越来越高,修筑打算也变得日益紧凑,这时 IC 级和体例级的散热仿真就显得尽头紧急了。

  少少操纵的事情处境温度为 70 到 125℃,而且少少裸片尺寸车载操纵的温度乃至高达 140℃,就这些操纵而言,体例的不间断运转尽头紧急。举行电子打算优化时,上述两类操纵的瞬态和静态最坏境况下的正确散热认识正变得日益紧急。

  散热经管的难点正在于要正在取得更高散热机能、更高事情处境温度以及更低覆铜散热层预算的同时,缩小封装尺寸。高封装效用将导致爆发热量组件较高的聚集度,从而带来正在 IC 级和封装级极高的热通量。

  体例中须要探求的要素包罗恐怕会影响认识器件温度、体例空间和气流打算/限度条目等其他少少印刷电道板功率器件。散热经管要探求的三个层面差别为:封装、电道板和体例(请参睹图 1)。

  低本钱、小外形尺寸、模块集成和封装牢靠性是采取封装时须要探求的几个方面。因为本钱成为要害的探求要素,所以基于引线框架的散热巩固封装正日益受到人们的青睐。这种封装包罗内嵌散热片或裸露焊盘和均热片型封装,打算旨正在抬高散热机能。正在少少外面贴装封装中,少少专用引线框架正在封装的每一壁均熔接几条引线,以起到均热器的效率。这种手法为裸片焊盘的热转达供应了较好的散热旅途。

  散热认识恳求周详、切确的硅芯片产物模子和外壳散热属性。半导体供应商供应硅芯片 IC 散热刻板属性和封装,而修筑修筑商则供应模块质料的闭系讯息。产物用户供应行使处境材料。

  这种认识有助于 IC 打算职员对电源 FET 尺寸举行优化,以合用于瞬态和静态运转形式中的最坏境况下的功耗。正在很众电源电子 IC 中,电源 FET 都占用了裸局部积相当大的一局限。散热认识有助于打算职员优化其打算。

  选用的封装普通会让局限金属外露,以此来供应硅芯片到散热器的低散热阻抗旅途。模子恳求的要害参数如下:

  硅芯片连绵至外露金属焊盘或金属突起连绵处的裸片连绵面积与厚度。恐怕包罗裸片连绵质料气隙百分比。

  需供应模子所用每一种质料的热传导属性。这种数据输入还包罗一共热传导属性的温度依赖性蜕变,这些传导属性实在包罗:

  散热仿真的一个至闭紧急的参数是确定焊盘到散热片质料的热阻,其确定手法重要有以下几种:

  连绵至内部散热局部板的散热焊盘或突起连绵处的散热孔。行使焊料将外露散热焊盘或突起连绵处连绵至 PCB 顶层。

  位于外露散热焊盘或突起连绵处下方PCB 上的一个启齿,可能和连绵至模块金属外壳的伸出散热片基座相连。

  使用金属螺钉将散热层连绵至金属外壳的 PCB 顶部或底部覆铜层上的散热片。行使焊料将外露散热焊盘或突起连绵处连绵至 PCB 的顶层。

  别的,每层 PCB 上所用镀铜的重量或厚度尽头要害。就热阻认识而言,连绵至外露焊盘或突起连绵处的各层直回收这一参数的影响。普通而言,这便是众层印刷电道板中的顶部、散热片和底部层。 大大批操纵中,其可能是两盎司重的覆铜(2 盎司铜=2.8 mils或 71 µm)外部层,以及1盎司重的覆铜(1盎司铜= 1.4 mils 或 35µm)内部层,或者一共均为 1 盎司重的覆铜层。正在消费类电子操纵中,少少操纵乃至会行使 0.5 盎司重的覆铜(0.5 盎司铜= 0.7 mils 或 18 µm)层。

  模子材料 仿真裸片温度须要一张 IC 平面安置图,个中包罗裸片上一共的电源FET 以及适应封装焊接规定的实践名望。 每一个 FET 的尺寸和纵横比,对热漫衍都尽头紧急。须要探求的另一个紧急要素是 FET 是否同时或纪律上电。模子精度取决于所行使的物理数据和质料属性。 模子的静态或均匀功耗认识只需很短的企图时辰,而且一朝记实到最高温度时便显露收敛。 瞬态认识恳求功耗-时辰比较数据。咱们行使了比开闭电源境况更好的解析次序来记实数据,以正确地对神速功率脉冲时刻的峰值温度上升举行捉拿。这种认识普通费时较长,且恳求比静态功率模仿更众的数据输入。 该模子可仿真裸片连绵区域的环氧树脂气孔,或 PCB 散热板的镀层气孔。正在这两种境况下,环氧树脂/镀层气孔城市影响封装的热阻(请参睹图 2)。

  图 2 热转达的热阻旅途散热界说Θja—显露四周热阻的裸片结点,平日用于散热封装机能比较。· Θjc—显露外壳顶部热阻的裸片结点。· Θjp—显露外露散热焊盘热阻的芯片结点,平日用于预测裸片结点温度的较好参考。Θjb—显露一条引线热阻旅途下电道板的裸片结点。 PCB 与模块外壳的施行 数据讲明须要举行少少改动来低浸顶部层左近裸片上的 FET 最高温度,以预防热门高出 150C 的 T 结点(请参睹图 3)。体例用户可能采取左右该特定序列下的功率漫衍,以此来低浸裸片上的功率温度。

  图 3 由散热仿真取得的一个结果示例 散热仿真是拓荒电源产物的一个紧急构成局限。其余,其还也许指挥您对热阻参数举行创立,涵盖了从硅芯片 FET 结点到产物中各样质料施行的全体局限。一朝剖析了分歧的热阻旅途之后,咱们便可能对很众体例举行优化,以合用于一共操纵。

  该数据还可能被用于确定降额因子与处境运转温度升高之间闭系性的标准。这些结果可用来助助产物拓荒团队拓荒其打算。

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  00是一款3.0A超低压差系列线性稳压器,可供应低压,大电流输出,而且外部元件数目起码。它具有高精度,超低压差(样板值为300mV,3.0安培负载),同时还供应极低的接地电流。该器件的输入事情电压局限为2.25V至13.5V,最大输入电压容差为18V。内部护卫效力包罗输出电流限度,热闭断和反向输出电流护卫。 NCP59301产物具有卓殊的输出过失符号,采用5引脚D2PAK封装。 NCP59302还供应该系列的可调整版本。请相闭您本地的出售任职处,剖析您的实在恳求。 特质 上风 正在1.5 A输出时样板压降为175 mV,正在3.0 A负载下样板压降为300 mV。 无需行使开闭稳压器即可天生辅助电源轨 低接地电流 - 正在3安培负载下样板值为60 mA 最小化功率调整器吃亏 输出端陶瓷电容器安靖 避免行使高贵的极化钽电容器 合用于汽车操纵的NCV版本 适应AECQ100程序且增援PPAP。 最大电压输入18V 合用于汽车和网通操纵 NC59301选件上可用的过失符号 发出打击信号体例。 输出电流逾越3安培 操纵 终端产物 FPGA,DSP和执掌器的负载点 开闭电源调整后 任职器和...

  NCP59302 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 神速瞬态反映

  02是一款高精度,极低压差(VLDO),低接地电流正电压稳压器,也许供应逾越3.0 A的输出电流,样板压差低于300 mV,负载电流为3.0 A 。该器件采用陶瓷输出电容安靖。该器件可承袭高达18 V的最大输入电压。内部护卫效力包罗输出电流限度,内置热闭断和反向输出电流护卫。逻辑电平使能引脚可用。 NCP59302是一款可调电压器件,采用D2PAK-5封装。 特质 上风 正在完备的3.0 A负载下300 mV样板的压差。 无需行使开闭稳压器即可天生辅助电源轨 低接地电流 - 正在3安培负载下样板值为60 mA 可最大限制地低浸功率损耗调整器 正在输出端行使陶瓷电容器安靖 避免高贵的极化钽电容器 供应NCV版本合用于汽车操纵 适应AECQ100程序且增援PPAP。 最大电压输入18V 合用于汽车和网通操纵 输出电流逾越3安培 汽车模块 操纵 终端产物 用于FPGA,DSP和执掌器的负载 开闭电源后调整 任职器和收集修筑 电道图、引脚图和封装图...

  50系列是一款高精度,极低压差,低接地电流的正电压稳压器,也许供应逾越1.5 A的输出电流,样板压差低于300 mV。该器件的输入事情电压局限为2.24V至13.5V,最大输入电压容差为18V。内部护卫效力包罗输出电流限度,热闭断和反向输出电流护卫。该器件可用作可调稳压器(NCP59152)或固定电压选项(NCP59150和NCP59151)。 NCP59151器件包罗一个使能效力和一个输出过失符号。 特质 上风 输出电流逾越1.5安培 低电压下的高电流输出 750 mA时175 mV样板压差1.5 A处的输出和300 mV样板压差 天生辅助电源轨而无需行使切换调整器 低接地电流 - 正在1.5 mA负载下样板值为40 mA 最大限制地省略调整器的功率损耗 正在输出端行使陶瓷电容器安靖 高贵的钽电容器的本钱效益管理计划 合用于Aut的NCV版本omotive操纵 适应AECQ100程序且增援PPAP 最高电压输入高达18V 合用于汽车和网通操纵顺序 操纵 终端产物 FPGA,DSP和执掌器的负载点 开闭电源调整后 任职器和收集修筑 汽车模块 电道图、引脚图和封装图...

  00系列是高精度,极低压差(VLDO),低接地电流正电压稳压器,也许供应逾越3.0 A的输出电流,样板压差低于370 mV,负载电流为3.0 A这些器件采用钽输出电容安靖。该系列最初由可调输出电压版本构成,将来方案采用固定电压版本。 NCP58300系列可承袭高达18 V的最大输入电压。内部护卫效力包罗输出电流限度,内置热闭断和反向输出电流护卫。 5引脚版本供应逻辑电平使能和过失符号引脚。 NCP58302是一款可调整电压器件,采用D2PAK-5封装。 特质 上风 完整3.0 A负载时370 mV样板压差 无需行使开闭调整器即可天生辅助电源轨 低接地电流 - 正在3.0 A负载下样板值为50 mA 最大限制地低浸稳压器的功率损耗 输出上的钽电容安靖 指定行使钽电容安靖 供应NCV版本合用于汽车操纵 适应AEC-Q100程序且增援PPAP 最高电压输入高达18 V 合用于汽车和网通操纵 输出电流逾越3安培 汽车模块 操纵 终端产物 FPGA,DSP和执掌器的负载点 开闭电源调整后 任职器和收集修筑 电道图、引脚图和封装图...

  NCP57302 LDO稳压器 3A 低压差 高PSRR 神速瞬态反映

  02是一款高精度,极低压差(VLDO),低最小输入电压和低接地电流正电压稳压器,也许供应逾越3.0 A的输出电流,样板压差为315 mV at 3.0负载电流和1.8 V及以上的输入电压。该器件采用陶瓷输出电容安靖。该器件可承袭高达18 V的最大输入电压。内部护卫效力包罗输出电流限度,内置热闭断和反向输出电流护卫。逻辑电平使能引脚可用。 NCP57302是一款可调电压器件,采用D2PAK-5封装。 特质 输出电流逾越3.0 A 全3 A输出电流的最小事情输入电压1.8 V 315 mV 3.0 A时的样板压差电压 可调整输出电压局限1.24 V至13 V 低接地电流 神速瞬态反映 开闭电源后调整 陶瓷输出电容安靖 逻辑兼容使能引脚 电流限度,反向电流和热量闭机护卫 事情电压高达13.5 V 汽车和其他操纵的NCV前缀须要奇异的站点和左右调动恳求; AECQ100及格和PPAP材干 这些是无铅修筑 操纵 终端产物 工业程序MIC29300,MIC39300,MIC37300的效力替换,具有更始的最小输入电压规格 消费者和工业修筑点禁锢 任职器和收集修筑 FPGA,DSP和逻辑电源 电池充...

  52是一款高精度,极低压差(VLDO),低最小输入电压和低接地电流正电压稳压器,也许供应逾越1.5 A的输出电流,样板压差为330 mV at 1.5负载电流和1.8 V及以上的输入电压。该器件采用陶瓷输出电容安靖。该器件可承袭高达18 V的最大输入电压。内部护卫效力包罗输出电流限度,内置热闭断和反向输出电流护卫。逻辑电平使能和过失符号引脚可用。 NCP57152是一款可调整电压器件,采用D2PAK-5和DFN8封装。 特质 输出电流逾越1.5 A 1.5 A输出电流的最小事情输入电压1.8 V 330 mV样板压差电压1.5 A 可调输出电压局限从1.24 V到13 V 低接地电流 神速瞬态反映 陶瓷安靖输出电容器 逻辑兼容使能和过失符号引脚 电流限度,反向电流和热闭断护卫 高达13.5 V输入电压的操作 NCV前缀合用于须要奇异站点和左右调动恳求的汽车和其他操纵; AECQ100及格和PPAP材干 这些是无铅修筑 操纵 终端产物 具有更始的最小输入电压规格的工业程序MIC29150,MIC39150,MIC37150的效力更换 消费者和工业修筑禁锢点 任职器和收集修筑 FPGA,DSP和逻...

  MC34268 LDO稳压器 800 mA 2.85 V SCSI-2有源端接器

  8是一款中等电流,低压差(LDO)正线性稳压器,专为SCSI-2有源终端电道而打算。该器件为电道打算职员供应了一种经济的缜密电压调整管理计划,同时将功率损耗降至最低。线 V压差复合PNP / NPN传输晶体管,限流和热限度构成。该LDO采用SOIC-8和DPAK-3外面贴装功率封装。 操纵包罗有源SCSI-2端接器和开闭电源的后置调整。 特质 2.85 V SCSI-2有源端接的输出电压 1.0 V Dropout 输出电流逾越800 mA 热护卫 短道护卫 输出调理为1.4%容差 无需最低负载 俭朴空间的DPAK-3,SOT-223和SOIC-8外面贴装电源包 无铅封装可用 电道图、引脚图和封装图...

  系列降压开闭稳压器是单片集成电道,尽头适合容易便利地打算降压型开闭稳压器(降压转换器)。该系列的一共电道均也许以极佳的线 A负载。这些器件供应3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出书本。 此降压开闭稳压器旨正在最大限制地省略外部元件的数目,从而简化电源打算。程序系列电感器针对LM2575举行了优化,由众家分歧的电感器修筑商供应。 因为LM2575转换器是一种开闭电源,与古板的三端线性稳压器比拟,其效用要高得众,格外是正在输入电压较高的境况下。正在很众境况下,LM2575稳压器破费的功率尽头低,不须要散热器,也不会大幅低浸其尺寸。 LM2575的特质包罗正在指定的输入电压和输出负载条目下保障4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包罗外部闭断,具有80 uA样板待机电流。输出开闭包罗逐周期电流限度,以及正在打击条目下举行全护卫的热闭断。 特质 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出书本 可调版本输出电压局限为1.23 V至37 V +/- 4%最大线 A输出电流 宽输入电压局限:4.75 V至40 V 仅须要4个外部元件 ...

  A PWM左右器用于左右一共类型的开闭电源,可供应更高的机能和更少的外部元件数目。片内+5.1 V基准电压调理为+/- 1%,偏差放大器的输入共模电压局限包罗参考电压,所以无需外局限压电阻。振荡器的同步输入使众个单位可能隶属,或者单个单位与外部体例时钟同步。通过连绵正在CT和放电引脚之间的单个电阻可能编程时势限的死区时辰。该器件还具有内置软启动电道,仅需外接按时电容。闭断引脚左右软启动电道和输出级,通过脉冲闭断的PWM锁存器供应瞬时闭断,以及具有更长闭断敕令的软启动轮回。当VCC低于标称值时,欠压锁定会禁止输出和软启动电容的蜕变。输出级采用图腾柱打算,也许接收和输出逾越200 mA的电流。 SG3525A的输出级具有NOR逻辑,导致合上状况的低输出。 特质 8.0 V至35 V操作 5.1 V +/- 1.0%修剪参考 100 Hz至400 kHz振荡器局限 孤独的振荡器同步引脚 可调整死区时辰左右 输入欠压锁定 锁存PWM以预防众个脉冲 逐脉冲闭机 双源/灌电流输出:+/- 400 mA峰值 无铅封装可用* 操纵 半桥 推拉式 电道图、引脚图和封装图...

  ACPL-W349-000E 2.5A输出电流SiC / GaN MOSFET和IGBT栅极驱动光电耦合器

  Broadcom ACPL-W349是一款高速2.5A栅极驱动光电耦合器件,它蕴涵一个AlGaAs LED,光耦合到具有功率输出的集成电道阶段。该器件尽头适合驱动用于功率转换操纵的SiC / GaN(碳化硅/氮化镓)MOSFET和IGBT。输出级的高事情电压局限供应门控器件所需的驱动电压。该器件增援高轨到轨输出电压和岑岭值输出电流,尽头适合直接驱动额定电压高达1200V / 100A的MOSFET和IGBT。 ACPL-W349具有高绝缘电压V IORM = 1140 V PEAK 适应IEC / EN / DIN EN 60747-5-5程序,并通过UL1577认证5000 V RMS 1分钟。 特质 2.5A最大峰值输出电流 宽事情V CC 局限:15至30 V 110ns最大传扬延迟 50ns最大传扬延迟区别 轨到轨输出电压 100-kV /μs最小共模抑低(CMR)正在 V CM = 1500 V 带迟滞的LED电流输入 I CC = 4.2 mA最大电源电流 带滞后的欠压锁定(UVLO)护卫 工业温度局限:-40°C至105°C 太平认证: UL认同5000 V RMS 1分钟。 CSA IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V IORM = 1140 V PEAK ...

  ACPL-W346-000E 2.5安培输出电流功率,GaN和SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器,具有拉伸SO6中的轨到轨输出电压

  ACPL-W346是一款高速2.5A栅极驱动光电耦合器,它蕴涵一个AlGaAs LED,它与一个带功率输出级的集成电道光耦合。该光耦合器尽头适适用于逆变器或AC-DC / DC-DC转换器操纵的驱动电源,GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)MOSFET。输出级的高事情电压局限供应门控器件所需的驱动电压。该光耦合器供应的电压和岑岭值输出电流使其尽头适合高频直接驱动MOSFET,完成高效用转换。 ACPL-W346具有IEC / EN / DIN EN 60747-5-5中V IORM = 1140Vpeak的最高绝缘电压,而且通过5000 V RMS认同UL1577 1分钟。 效力 2.5 A最大峰值输出电流 2.0最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 120 ns最大传扬延迟 50 ns最大传扬延迟差 带滞后的LED电流输入 I CC = 4.0 mA同意自举电源的最大电源电流 带滞后的欠压锁定(UVLO)护卫 100 kV / s最小共模抑低(CMR) V CM = 1500 V 宽事情V CC 局限:10事情温度局限:-40°C至105°C 太平认证: UL认同5000 V RMS 连接1分钟。 CSA IEC / EN / DIN EN 60747-5-5 V IORM = 1140 Vpeak 可用选项...

  ACPL-P340-000E 具有轨到轨输出电压的1.0安培输出电流IGBT栅极驱动光电耦合器,采用拉伸SO6封装

  ACPL-P340 / ACPL-W340 g 驱动光电耦合器蕴涵AlGaAs LED,光耦合到具有功率输出的集成电道阶段。此栅极驱动 光耦尽头适合驱动电源 IGBT 以及用于电机左右逆变器操纵的MOSFET 。 输出级的高事情电压局限供应门控器件所需的驱动电压。该光耦合器供应的电压和岑岭值输出电流使其尽头适合直接驱动IGBT,栅极驱动器额定电压高达1200V / 50A。 关于 具有更高额定值的IGBT ,ACPL-P340 / ACPL-W340 栅极驱动光电耦合器可用于驱动驱动IGBT 栅极的分修功率级。正在IEC / EN / DIN EN 60747-5-2中,ACPL-P340和ACPL-W340的绝缘电压最高差别为V IORM = 891Vpeak和1140Vpeak。 效力 1.0最大峰值输出电流 0.8最小峰值输出电流 轨到轨输出电压 200 ns最大传扬延迟 100 ns最大传扬延迟区别 LED电流输入迟滞 I CC = 3.0 mA最大电源电流以同意自举电源 带滞后的欠压锁定(UVLO)护卫 35 kV /μs最小共模抑低(CMR) V CM = 1500 V 宽事情电压V CC 局限:15至30 V 工业温度局限:-40°C至105°C 太平认证: UL认同375...

  HCPL-5121是一款采用8引脚陶瓷DIP封装的高牢靠性H级密封光电耦合器。还供应镀金引线,焊接浸渍引线和各样引线方式选项。相闭周详讯息,请参睹数据外。 该产物可正在全体军用温度局限内运转和存储,也可能贸易级或DLA程序微电道图(SMD)5962-04204购置。 。 HCPL-5121正在MIL-PRF-38534认证临盆线上修筑和测试,并蕴涵正在DLA及格修筑商列外QML-38534中,用于搀和微电道。 该器件由光耦合的GaAsP LED构成到具有功率输出级的集成电道。该器件尽头适合驱动用于电机左右逆变器操纵的功率IGBT和MOSFET。输出级的高事情电压局限供应门控器件所需的驱动电压。该光耦合器供应的电压和电流使其尽头适合直接驱动额定电压高达1200V / 100A的IGBT。关于具有更高额定值的IGBT,HCPL-5121可用于驱动分修功率级,从而驱动IGBT栅极。 特质 高牢靠性,8引脚DIP 机能保障从-55摄氏度到125摄氏度 MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标识修筑部件号和DLA程序微电道图 2.0 A最小峰值输出电流 高共模抑低(CMR):10 kV / s正在VCM = 1000 V 0.5 V最大低电平输出电压 I...

  HCPL-5151是一款采用8引脚陶瓷DIP封装的高牢靠性H级密封光电耦合器。还供应镀金引线,焊接浸渍引线和各样引线方式选项。相闭周详讯息,请参睹数据外。 该产物可正在全体军用温度局限内运转和存储,也可能贸易级或DLA程序微电道图(SMD)5962-04205购置。 。 HCPL-5151正在MIL-PRF-38534认证临盆线上修筑和测试,并蕴涵正在DLA及格修筑商列外QML-38534中,用于搀和微电道。 该器件由光耦合的GaAsP LED构成到具有功率输出级的集成电道。该器件尽头适合驱动用于电机左右逆变器操纵的功率IGBT和MOSFET。输出级的高事情电压局限供应门控器件所需的驱动电压。该光耦合器供应的电压和电流使其尽头适合直接驱动额定电压高达1200V / 50A的IGBT。关于额定值较高的IGBT,HCPL-5151可用于驱动分修功率级,驱动IGBT栅极。 特质 高牢靠性,8引脚DIP 机能保障从-55摄氏度到125摄氏度 MIL-PRF-38534 H级,QML-38534 双重标识修筑部件号和DLA程序微电道图 0.5 A最小峰值输出电流 高共模抑低(CMR):10 kV /微; s,正在VCM = 1000 V 1.0 V最大低电平输出电压 Icc = 5mA最大电源...

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